ddr4内存时序
时间：2024-11-19 03:01:38
ddr4内存条时序
DDR4内存条的时序是指内存条在运行过程中所遵循的一系列时序参数，主要包括tCK（时钟周期时间）、tRCD（行选通到列选通的延迟时间）、tCL（CAS延迟时间）、tRP（行选通预充电时间）、tRAS（行选通到预充电的延迟时间）、tWR（写恢复时间）、tRFC（刷新周期时间）、tFAW（四次行选通窗口时间）、tRC（行周期时间）、tCCD（CAS到CAS延迟时间）、tRTP（读到预充电的延迟时间）、tWTR（写到读延迟时间）等。
在选择DDR4内存条时，时序越低通常表示内存条的性能越好。例如，一条内存条的时序为CL14，另一条为CL16，那么CL14的内存条通常更好。然而，不同品牌和体质的内存条可能有不同的差异，因此在选择时需要根据具体情况进行权衡。
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