冷热探针法测量半导体类型

时间：2024-07-10 01:01:52

半导体类型测量方法

1. 霍尔效应2. 冷热探针法冷热探针法是利用半导体的温差电效应来测定半导体的导电类型的。在 P 型半导体未加探针之前，空穴均匀分布，半导体中处处都显示出电中性。当半导体两端加上冷热探针后，热端激发的载流子浓度高于冷端的载流子浓度，从而形成了一定的浓度梯度。于是，在浓度梯度的驱使下，热端的空穴就向冷端做扩散运动。随着空穴不断地扩散，在冷端就有空穴的积累，因而带上了正电荷，同时在热端因为空穴的欠缺(即电离受主的出现)而带上了负电荷。上述正负电荷的出现便在半导体内部形成了由冷端指向热端的电场。